5nm芯片集體“翻車” 先進芯片是不是噱頭?
極客灣數(shù)據(jù),在某款游戲的測試中,玩了20分鐘后,小米11背面溫度達到了48℃,而搭載驍龍865的小米10在相同的測試環(huán)境下,溫控表現(xiàn)更好只有41℃。
芯片表現(xiàn)需要考慮綜合因素。但人們?nèi)愿鼉A向于將驍龍888的“翻車”歸咎于三星的工藝。理由是,性能提升和功耗控制更好一些的蘋果A14和麒麟9000均出自臺積電之手。而高通在權(quán)衡之下,選擇了三星獨家代工。
在芯片代工領域,臺積電一直是全球市場的老大,三星常年屈居次席,而在市場份額上更是遠遠落后。根據(jù)市場報告顯示,臺積電2020年獨占54%芯片代工市場份額,而三星份額只有17%。
有人質(zhì)疑高通是因為“圖便宜踩了坑”。但也有報道顯示,高通之所以將驍龍888交給三星代工,主要原因是“為了保穩(wěn)定量產(chǎn)”,由于臺積電絕大部分5nm產(chǎn)能都供給了蘋果,高通才因此投奔了三星。
事實上,高通之外,由臺積電代工的蘋果A14也因掉電過快遭到消費者吐槽,華為麒麟9000的集成GPU功耗同樣面臨著居高不下的問題。
先進芯片是不是噱頭?
一位芯片行業(yè)人士告訴AI財經(jīng)社,理論上5nm的漏電功耗比7nm更低。但由于“集成了更多的晶體管,累計漏電功耗(靜態(tài))反而更高,因此,在用戶體驗上反而更差,與設計的芯片復雜度有關”。
資料顯示,集成電路的功耗分為動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。動態(tài)功耗是電路狀態(tài)變化時產(chǎn)生的功耗,靜態(tài)功耗則是指晶體管泄露電流產(chǎn)生的功耗。雖然每個晶體管泄漏產(chǎn)生的功耗很小,但因數(shù)量龐大,累積的靜態(tài)功耗難以想象。
集成電路工藝發(fā)展至今,高功耗、高發(fā)熱一直是無法根治的問題。FinFET工藝是針對這一問題的解決手段之一。FinFET源自于傳統(tǒng)標準的晶體管的創(chuàng)新設計,中文稱為鰭式場效應晶體管。根據(jù)百科,F(xiàn)inFET的架構(gòu)設計,可以大幅改善電路控制并減少漏電流。
但有媒體報道,伴隨著晶體管尺寸的進一步縮小,F(xiàn)inFET工藝漏電問題再次出現(xiàn)。
雷科技援引Moortec首席技術官奧利弗·金的說法,在16nm或14nm工藝時,處理器速度獲得很大提升,漏電流也獲得顯著下降,但從7nm到5nm的過程中,漏電情況又變得嚴重,“幾乎與28nm水平相同”。
“翻車事件”最大的爭議在于,追求高端工藝本質(zhì)上是為了獲得更好的能效比,但似乎現(xiàn)有的5nm工藝并沒有達到理想的成果,卻花費了更高的費用。
報道數(shù)據(jù)顯示,28nm工藝的成本為0.629億美元,之后隨著制程工藝推進,芯片的成本迅速上升。到了7nm,成本暴增至3.49億美元,5nm更進一步增至4.76億美元。另有數(shù)據(jù)顯示,臺積電每片5nm晶圓的收費約為17000美元,這一數(shù)字將近7nm的兩倍。
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