5nm芯片集體“翻車” 先進芯片宣傳究竟是不是噱頭

　　極客灣數(shù)據(jù)，在某款游戲的測試中，玩了20分鐘后，小米11背面溫度達到了48℃，而搭載驍龍865的小米10在相同的測試環(huán)境下，溫控表現(xiàn)更好只有41℃。

　　芯片表現(xiàn)需要考慮綜合因素。但人們?nèi)愿鼉A向于將驍龍888的“翻車”歸咎于三星的工藝。理由是，性能提升和功耗控制更好一些的蘋果A14和麒麟9000均出自臺積電之手。而高通在權(quán)衡之下，選擇了三星獨家代工。

　　在芯片代工領(lǐng)域，臺積電一直是全球市場的老大，三星常年屈居次席，而在市場份額上更是遠遠落后。根據(jù)市場報告顯示，臺積電2020年獨占54%芯片代工市場份額，而三星份額只有17%。

　　有人質(zhì)疑高通是因為“圖便宜踩了坑”。但也有報道顯示，高通之所以將驍龍888交給三星代工，主要原因是“為了保穩(wěn)定量產(chǎn)”，由于臺積電絕大部分5nm產(chǎn)能都供給了蘋果，高通才因此投奔了三星。

　　事實上，高通之外，由臺積電代工的蘋果A14也因掉電過快遭到消費者吐槽，華為麒麟9000的集成GPU功耗同樣面臨著居高不下的問題。

　　先進芯片是不是噱頭？

　　一位芯片行業(yè)人士告訴AI財經(jīng)社，理論上5nm的漏電功耗比7nm更低。但由于“集成了更多的晶體管，累計漏電功耗（靜態(tài)）反而更高，因此，在用戶體驗上反而更差，與設(shè)計的芯片復(fù)雜度有關(guān)”。

　　資料顯示，集成電路的功耗分為動態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。動態(tài)功耗是電路狀態(tài)變化時產(chǎn)生的功耗，靜態(tài)功耗則是指晶體管泄露電流產(chǎn)生的功耗。雖然每個晶體管泄漏產(chǎn)生的功耗很小，但因數(shù)量龐大，累積的靜態(tài)功耗難以想象。

　　集成電路工藝發(fā)展至今，高功耗、高發(fā)熱一直是無法根治的問題。FinFET工藝是針對這一問題的解決手段之一。FinFET源自于傳統(tǒng)標準的晶體管的創(chuàng)新設(shè)計，中文稱為鰭式場效應(yīng)晶體管。根據(jù)百科，F(xiàn)inFET的架構(gòu)設(shè)計，可以大幅改善電路控制并減少漏電流。

　　但有媒體報道，伴隨著晶體管尺寸的進一步縮小，F(xiàn)inFET工藝漏電問題再次出現(xiàn)。

　　雷科技援引Moortec首席技術(shù)官奧利弗·金的說法，在16nm或14nm工藝時，處理器速度獲得很大提升，漏電流也獲得顯著下降，但從7nm到5nm的過程中，漏電情況又變得嚴重，“幾乎與28nm水平相同”。

　　“翻車事件”最大的爭議在于，追求高端工藝本質(zhì)上是為了獲得更好的能效比，但似乎現(xiàn)有的5nm工藝并沒有達到理想的成果，卻花費了更高的費用。

　　報道數(shù)據(jù)顯示，28nm工藝的成本為0.629億美元，之后隨著制程工藝推進，芯片的成本迅速上升。到了7nm，成本暴增至3.49億美元，5nm更進一步增至4.76億美元。另有數(shù)據(jù)顯示，臺積電每片5nm晶圓的收費約為17000美元，這一數(shù)字將近7nm的兩倍。