陳星弼院士去世享年89歲 中國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)路人

　　近日，從電子科技大學(xué)獲悉，中國(guó)科學(xué)院院士、電子科技大學(xué)教授陳星弼因病醫(yī)治無(wú)效，于4日17時(shí)10分在成都逝世，享年89歲。陳星弼1931年1月28日出生于上海，1952年從同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系畢業(yè)后，先后在廈門(mén)大學(xué)、東南大學(xué)和成都電訊工程學(xué)院(現(xiàn)電子科技大學(xué))工作。

　　1980年，他被派往美國(guó)俄亥俄州大學(xué)做訪(fǎng)問(wèn)學(xué)者，于1981年初轉(zhuǎn)到加州大學(xué)伯克利點(diǎn)校，開(kāi)始進(jìn)行新型半導(dǎo)體功率器件的研究。1983年回國(guó)后被選為系主任，不久建立了微電子研究所。他以MOS型功率器件為主要研究方向。在他率領(lǐng)下，在中國(guó)首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件并開(kāi)發(fā)了相關(guān)技術(shù)。

　　他1999年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士，2019年當(dāng)選為國(guó)際電氣與電子工程師協(xié)會(huì)終身會(huì)士。

　　陳星弼是我國(guó)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)路人和集大成者。他是國(guó)際上首個(gè)提出超結(jié)耐壓層理論的科學(xué)家，他的超結(jié)發(fā)明專(zhuān)利打破傳統(tǒng)“硅極限”，被國(guó)際學(xué)術(shù)界譽(yù)為“高壓功率器件新的里程碑”。

　　由于世界上有近四分之三的電能是通過(guò)半導(dǎo)體功率器件來(lái)轉(zhuǎn)換其形式后才可以使用的，因此國(guó)外有人預(yù)言做在一塊芯片上會(huì)引起所謂"第二次電子革命"。

　　陳星弼的新發(fā)明解決了在普通集成電路上做功率器件的問(wèn)題，打破了阻礙第二次電子革命迅速發(fā)展的桎梏。

　　陳星弼院士因?qū)Ω邏汗β蔒OSFET理論與設(shè)計(jì)的卓越貢獻(xiàn)獲得第二十七屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件與集成電路年會(huì)(IEEE ISPSD 2015)頒發(fā)的最高榮譽(yù)“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”，成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂，成為首位入選名人堂的華人科學(xué)家。

　　他著書(shū)7本，發(fā)表學(xué)術(shù)論文110多篇，申請(qǐng)中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利20項(xiàng)(已授權(quán)17項(xiàng))，申請(qǐng)美國(guó)發(fā)明專(zhuān)利19項(xiàng)(已授權(quán)16項(xiàng)，另有兩項(xiàng)已通知準(zhǔn)備授權(quán))，申請(qǐng)國(guó)際發(fā)明專(zhuān)利1項(xiàng)。獲國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)及科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)，省部級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)13項(xiàng)，完成國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、軍事研究項(xiàng)目、國(guó)家“八五”科技攻關(guān)項(xiàng)目多項(xiàng)。